[发明专利]平面栅超级结产品栅极版图结构

摘要

本发明公开了一种平面栅超级结产品栅极版图结构，具有多个原包结构，每个原包结构包括：N型衬底上生长N型外延，N型外延上部形成P阱区，P阱区和N型外延上形成有栅极氧化膜，栅极氧化膜上形成有多晶硅栅极，多晶硅栅极上形成有金属硅化物；所述多晶硅栅极是彼此分离的两个多晶硅栅极，在P阱区之间N型外延上方形成一窗口，多晶硅栅极一侧边缘位于P阱区上方，另一侧边缘位于P阱区之间的N型外延上方。本发明通过减小多晶栅极和N外延的重叠面积能减小栅-漏电容，减小MOSFET管的开关时间，降低产品在交流应用时的损耗；去掉了在原包结构两个P阱区之间的栅极板的覆盖，使产品在开启工作时，降低了导电电流受栅极电压的影响，降低了导通电阻。

主权项

一种平面栅超级结产品栅极版图结构，具有多个原包结构，每个原包结构包括：N型衬底上生长的N型外延，所述N型外延上部形成有P阱区，所述P阱区和N型外延的上形成有栅极氧化膜，所述栅极氧化膜上形成有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上形成有金属硅化物；其特征是：所述多晶硅栅极是彼此分离的两个多晶硅栅极，在所述P阱区之间的N型外延上方形成一窗口，所述多晶硅栅极一侧的边缘位于P阱区上方，另一侧的边缘位于所述P阱区之间的N型外延上方。