[发明专利]平面栅超级结产品栅极版图结构在审
| 申请号： | 201210484655.1 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103839982A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 超级 产品 栅极 版图 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种平面栅超级结产品栅极版图结构，具有多个原包结构，每个原包结构包括：N型衬底上生长的N型外延，所述N型外延上部形成有P阱区，所述P阱区和N型外延的上形成有栅极氧化膜，所述栅极氧化膜上形成有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上形成有金属硅化物；其特征是：所述多晶硅栅极是彼此分离的两个多晶硅栅极，在所述P阱区之间的N型外延上方形成一窗口，所述多晶硅栅极一侧的边缘位于P阱区上方，另一侧的边缘位于所述P阱区之间的N型外延上方。
2.如权利要求1所述平面栅超级结产品栅极版图结构，其特征是：所述原包结构的多晶硅栅极位于N型外延上方的宽度小于1um。
3.如权利要求2所述平面栅超级结产品栅极版图结构，其特征是：各所述原包结构的分离的多晶硅栅极采用在元胞区结束处合并在一起连接到栅总线的方式。
4.如权利要求2所述平面栅超级结产品极版图结构，其特征是：各所述原包结构的分离的多晶硅栅极采用直接连接到栅总线的方式。
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