[发明专利]大芯片尺寸封装及其制造方法

摘要

大芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器技术领域。在晶圆第一表面中硅衬底上方的中央设置有光学交互区，在设置有光学交互区的一面连接有金属互联结构，硅衬底上光学交互区周围的I/O通过金属互联结构连接到电极垫；金属互联结的表面设置有保护层，并在保护层上形成有台阶状的凸起或凹槽结构；晶圆的第一表面与玻璃片键合在一起，在玻璃片和晶圆之间形成空腔；晶圆的第二表面设置有TSV孔，通过TSV孔穿过硅衬底将电极垫连接到晶圆第二表面上面的焊盘垫，在TSV孔孔壁上依次制作有作钝化层和金属衬里，聚合物材料将TSV孔填充；在晶圆第二表面上制作防焊层，焊球制作在焊盘垫上。本发明改善了现有封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了封装可靠性。

主权项

大芯片尺寸封装，其特征在于：其包括有晶圆（200），所述晶圆（200）的正面为形成图像传感区的第一表面（201），所述晶圆（200）的负面为第二表面（202）；所述晶圆（200）第一表面（201）中硅衬底130上方的中央设置有光学交互区（210），在设置有光学交互区（210）的一面连接有金属互联结构（220），硅衬底（130）上光学交互区（210）周围的I/O通过金属互联结构（220）连接到电极垫（225）；金属互联结构（220）的表面设置有保护层（230），并在保护层（230）上形成有台阶状的凸起或凹槽结构；晶圆（200）的第一表面（201）与玻璃片（150）之间通过聚合物连接件（140）键合在一起，玻璃片（150）和晶圆（200）之间设有通过曝光显影工艺形成的空腔；晶圆（200）的第二表面（202）设置有TSV孔（260），通过TSV孔（260）穿过硅衬底（130）将电极垫（225）连接到晶圆（200）第二表面（202）上面的焊盘垫（175），在TSV孔（260）孔壁上依次制作有作钝化层（265）和金属衬里（270），并用聚合物胶将TSV孔（260）填充；晶圆（200）第二表面（202）上制作有防焊层（180），焊球190制作在焊盘垫（175）上。