[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210477926.0 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137702A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 金相基;李镇浩;罗景一;具珍根;梁壹锡 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法。该装置可包括提供在半导体基板中的柱、提供在半导体基板中且与柱间隔开的场板电极、提供在半导体基板中且设置在场板电极上的栅极图案，场板电极连接到栅极图案的下端部，场板电介质设置在半导体基板与场板电极之间，并且栅极电介质图案插设在半导体基板与栅极图案的侧壁之间，栅极电介质图案的厚度小于场板电介质的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：柱，提供在半导体基板中；场板电极，提供在该半导体基板中且与该柱间隔开；栅极图案，提供在该半导体基板中且设置在该场板电极上，该场板电极连接到该栅极图案的下端部；场板电介质，设置在该半导体基板与该场板电极之间；以及栅极电介质图案，插设在该半导体基板与该栅极图案的侧壁之间，该栅极电介质图案的厚度小于该场板电介质的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国电子通信研究院，未经韩国电子通信研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210477926.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光器件
- 下一篇：35kV母线电压互感器高压保险更换助力器
- 同类专利
- 专利分类
