[发明专利]一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法

摘要

本发明涉及核辐射探测技术领域，提供一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其内嵌稳峰源采用电镀镅241源，电镀源片外形为φ10mm×1mm，基底采用不锈钢材质，α粒子表面发射率~800cps；安装基座采用聚四氟乙烯配合PCB准直器制作而成，具有良好的重复性和高反光性能；晶体封装采用特氟龙包裹，使用环形聚四氟加工件使反光材料可紧贴晶体，增加反光效率。使用本方法制作的内嵌稳峰源可实现<3.0%的稳峰源分辨率，等效γ能量约为1.4MeV，0℃~50℃范围内温度稳定性在2%以内。解决了新型溴化镧晶体内嵌稳峰源的技术难题。

主权项

一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个不锈钢基底上制作成电镀源片；（2）使用PCB板制作成出射α粒子准直器，准直器孔径为φ0.4~0.8mm，准直孔个数≥80个；准直器表面镀金作为光子反射层；（3）使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源；（4）将制作好的内嵌稳峰源紧贴经打磨处理过的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带将内嵌稳峰源和晶体进行紧密包裹，再使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧；（5）将经步骤（4）处理后的溴化镧晶体放入金属密封筒中，将粘贴好导光玻璃的密封盖与金属密封筒旋紧，并涂上密封胶进行密封，固化24小时后即可使用。