[发明专利]一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法

权利要求书

1.一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

（1）使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个不锈钢基底上制作成电镀源片；

（2）使用PCB板制作成出射α粒子准直器，准直器孔径为φ0.4~0.8mm，准直孔个数≥80个；准直器表面镀金作为光子反射层；

（3）使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源；

（4）将制作好的内嵌稳峰源紧贴经打磨处理过的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带将内嵌稳峰源和晶体进行紧密包裹，再使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧；

（5）将经步骤（4）处理后的溴化镧晶体放入金属密封筒中，将粘贴好导光玻璃的密封盖与金属密封筒旋紧，并涂上密封胶进行密封，固化24小时后即可使用。

2.根据权利要求1所述的溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于：步骤（1）中所述电镀在不锈钢基底上的镅源活性区厚度为1μm，镅源活度为2kBq，表面发射率为800cps。

3.根据权利要求1所述的溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于：步骤（2）中所述准直器孔径为φ0.6mm，准直孔个数为100个。

4.根据权利要求1所述的溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于：步骤（4）中所述聚四氟环形压块为环形结构，可用于紧套在包裹了特氟龙反光带的内嵌稳峰源外围。