[发明专利]一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法有效
| 申请号： | 201210471857.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102931298A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王强;李国琪;顾法华;钱志强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法，包括步骤：在衬底上依次外延生长N型GaN层、多量子阱层，以及P型GaN层；在P型GaN层表面蒸镀ITO层；在ITO层上形成光刻胶层；利用光刻掩模，通过对光刻胶层的第一次曝光操作、第一次显影操作而制作第一次ITO图形；腐蚀掉显影操作后露出来的ITO层并继续向下刻蚀到N型GaN层；第二次利用光刻掩模，通过对光刻胶层的第二次曝光操作、第二次显影操作而制作第二次ITO图形；第二次腐蚀掉显影后露出来的ITO层并去除光刻胶，形成最终ITO图形。通过本发明提出的制作方法，可在一步涂胶工艺的情况下制作出两步涂胶工艺才能完成的ITO图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 制造 工艺 ito 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法，包括步骤：1）在衬底上依次外延生长N型GaN层、多量子阱层，以及P型GaN层；2）在P型GaN层表面蒸镀ITO层；3）在ITO层上形成光刻胶层；4）利用光刻掩模，通过对光刻胶层的第一次曝光操作、第一次显影操作而制作第一次ITO图形；5）腐蚀掉显影操作后露出来的ITO层并继续向下刻蚀到N型GaN层；6）第二次利用光刻掩模，通过对光刻胶层的第二次曝光操作、第二次显影操作而制作第二次ITO图形；7）第二次腐蚀掉显影后露出来的ITO层并去除光刻胶，形成最终ITO图形。
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