[发明专利]一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法

权利要求书

1.一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法，包括步骤：

1）在衬底上依次外延生长N型GaN层、多量子阱层，以及P型GaN层；

2）在P型GaN层表面蒸镀ITO层；

3）在ITO层上形成光刻胶层；

4）利用光刻掩模，通过对光刻胶层的第一次曝光操作、第一次显影操作而制作第一次ITO图形；

5）腐蚀掉显影操作后露出来的ITO层并继续向下刻蚀到N型GaN层；

6）第二次利用光刻掩模，通过对光刻胶层的第二次曝光操作、第二次显影操作而制作第二次ITO图形；

7）第二次腐蚀掉显影后露出来的ITO层并去除光刻胶，形成最终ITO图形。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光刻胶是聚酰亚胺，所述衬底是蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述“向下刻蚀”操作采用的是干法刻蚀方法，所述干法刻蚀方法采用的是ICP刻蚀设备。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述“外延生长”操作采用的是金属有机化学气相沉积方法，所述“在ITO层上形成光刻胶层”的操作包括涂胶操作和前烘操作。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述涂胶操作采用旋涂法，匀胶速度为3700转/分；所述前烘操作的条件是：温度170℃，时间30分钟。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一次曝光操作的条件是：时间35秒，曝光功率250w；所述第一次显影操作的条件是：时间100秒，温度20.5℃。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述“通过对光刻胶层的第一次曝光操作、第一次显影操作而制作第一次ITO图形”的过程中，不对光刻胶进行固化操作。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在从步骤3）到步骤7）的过程期间采用黄光照明，在步骤5）和步骤6）之间还包括清洗表面的步骤。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二次曝光操作的时间是所述第一次曝光操作的时间的两倍，所述第二次显影操作操作的时间是所述第一次显影操作操作的时间的两倍。

10.一种GaN基LED，包括衬底、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层以及ITO层，其中所述ITO层采用如权利要求1所述的ITO图形的制作方法而图案化。

11.根据权利要求10所述的GaN基LED，其特征在于，所述衬底是蓝宝石衬底。