[发明专利]半导体气体传感器

摘要

基于集成的场效应晶体管的半导体气体传感器具有半导体主体和通过间隙与通道区域分离的气体敏感的控制电极且构造为悬浮栅场效应晶体管，或者控制电极设置为具有间隙的电容器的第一板且电容器的第二板与电容性控制构造的场效应晶体管的栅极连接，控制电极具有半导体载体层和气体敏感层，半导体载体层具有增附剂层且气体敏感层位于增附剂层上，控制电极与参考电势连接，气体敏感层的表面朝着通道区域或第二板，在半导体主体表面上设有连接区，支撑区设置在连接区内，连接区具有第一连接区域和第二连接区域，第一连接区域借助第一连接剂与控制电极电连接和力锁合连接，第二连接区域借助第二连接剂与控制电极至少力锁合连接。

主权项

半导体气体传感器（10），其基于集成的场效应晶体管，其具有半导体主体（20），所述半导体主体（20）具有构造在所述半导体主体（20）的表面上的钝化层（30），‑所述半导体气体传感器具有通过间隙与通道区域分离的气体敏感的控制电极并且构造为悬浮栅场效应晶体管（SGFET），或者‑所述控制电极（100）设置为具有间隙的电容器的第一板，并且所述电容器的第二板与电容性控制地构造的场效应晶体管（CCFET）的栅极连接，并且所述控制电极具有半导体载体层和气体敏感层（120），所述半导体载体层具有位于其上的增附剂层并且所述气体敏感层位于所述增附剂层上，其中，所述控制电极与参考电势连接，‑所述气体敏感层（120）的表面朝着所述通道区域（55）或所述第二板，‑设有支撑区，所述支撑区具有第一支承结构（70）和第二支承结构（80），所述第一支承结构具有第一支承区域（75）并且所述第二支承结构具有第二支承区域（85），其特征在于，在所述半导体主体的表面上设有连接区，并且所述支撑区与所述连接区邻接，所述连接区具有第一连接区域和第二连接区域，所述第一连接区域具有穿过所述钝化层（30）的第一成型部（112），并且所述第一成型部具有底面，所述底面具有与所述参考电势连接的导电层（115），并且所述第一连接区域借助于第一连接剂（130）与所述控制电极（100）具有电连接和力锁合连接，并且所述第二连接区域借助于第二连接剂（140）与所述控制电极（100）至少具有力锁合连接，并且所述第一连接剂（130）至少部分地填充所述成型部，并且所述控制电极（100）与所述导电层（115）连接。