[发明专利]半导体气体传感器

权利要求书

1.半导体气体传感器（10），其基于集成的场效应晶体管，其具有半导体主体（20），所述半导体主体（20）具有构造在所述半导体主体（20）的表面上的钝化层（30），

-所述半导体气体传感器具有通过间隙与通道区域分离的气体敏感的控制电极并且构造为悬浮栅场效应晶体管（SGFET），或者

-所述控制电极（100）设置为具有间隙的电容器的第一板，并且所述电容器的第二板与电容性控制地构造的场效应晶体管（CCFET）的栅极连接，并且

所述控制电极具有半导体载体层和气体敏感层（120），所述半导体载体层具有位于其上的增附剂层并且所述气体敏感层位于所述增附剂层上，其中，所述控制电极与参考电势连接，

-所述气体敏感层（120）的表面朝着所述通道区域（55）或所述第二板，

-设有支撑区，所述支撑区具有第一支承结构（70）和第二支承结构（80），所述第一支承结构具有第一支承区域（75）并且所述第二支承结构具有第二支承区域（85），

其特征在于，

在所述半导体主体的表面上设有连接区，并且所述支撑区与所述连接区邻接，所述连接区具有第一连接区域和第二连接区域，所述第一连接区域具有穿过所述钝化层（30）的第一成型部（112），并且所述第一成型部具有底面，所述底面具有与所述参考电势连接的导电层（115），并且所述第一连接区域借助于第一连接剂（130）与所述控制电极（100）具有电连接和力锁合连接，并且所述第二连接区域借助于第二连接剂（140）与所述控制电极（100）至少具有力锁合连接，并且所述第一连接剂（130）至少部分地填充所述成型部，并且所述控制电极（100）与所述导电层（115）连接。

2.根据权利要求1所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述控制电极（100）在所述半导体表面的法向量的方向上与所述连接区间隔开并且至少部分地覆盖所述连接区。

3.根据权利要求1或2所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述第二连接区域（140）具有穿过所述钝化层（30）的第二成型部（114），所述第二成型部具有底面，并且在所述底面上构造有导电层，并且所述第一连接剂（130）将所述控制电极（100）与所述导电层电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，在所述底面上构造有截锥状的隆起部。

5.根据权利要求3所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，在所述底面上构造有多个截锥状的隆起部。

6.根据权利要求4或5所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述隆起部构造为钨塞（150）。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述导电层包含硅。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述导电层由掺杂的多晶硅层（115）和硅化物层构成。

9.根据以上权利要求中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述第一连接剂（130）和所述第二连接剂（140）包含导电粘接剂。

10.根据以上权利要求中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述第一连接剂（130）和所述第二连接剂（140）仅仅设置在所述控制电极（100）下方和所述控制电极（100）的外侧上。

11.根据以上权利要求中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述第一连接区域与所述第一支承结构（70）紧邻。

12.根据权利要求3至11中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述第一连接剂（130）和/或所述第二连接剂（140）完全填充所述第一成型部（112）和所述第二成型部（114）。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述第一支承区域（75）和/或所述第二支承区域（85）分别包括一个平台，所述平台构造在所述钝化层（50）的表面上，并且所述控制电极位于所述平台上。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体气体传感器（10），其特征在于，所述控制电极仅仅位于所述第一支承区域（75）和所述第二支承区域（85）上并且仅仅由所述第一连接剂（130）和/或由所述第二连接剂（140）保持。