[发明专利]一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法无效
| 申请号： | 201210464578.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103822735A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 孙其梁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00;H01L29/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法，通过采用110晶向底硅作为晶片结构的底硅，采用湿法腐蚀方式腐蚀底硅背腔形成凹槽，使得硅片内均匀性较好，底硅表面的划伤较小，根据110晶向底硅的晶向特点，腐蚀形成的凹槽一般为直口，横截面为矩形结构，避免出现腐蚀倾斜角度，使得凹槽的开口处的尺寸与底部的尺寸大小一致，不会造成晶片的面积增加等问题，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力 传感 器用 晶片 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器用晶片结构，其特征在于，包括依次设置的底硅、氧化层、顶硅以及半导体元件，所述底硅为110晶向底硅，所述底硅的底部设置有凹槽，所述凹槽的位置及开口大小与所述半导体元件相对应，所述凹槽的深度等于所述底硅的厚度。
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