[发明专利]一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法无效
| 申请号： | 201210464578.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103822735A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 孙其梁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00;H01L29/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压力 传感 器用 晶片 结构 加工 方法 | ||
1.一种压力传感器用晶片结构，其特征在于，包括依次设置的底硅、氧化层、顶硅以及半导体元件，所述底硅为110晶向底硅，所述底硅的底部设置有凹槽，所述凹槽的位置及开口大小与所述半导体元件相对应，所述凹槽的深度等于所述底硅的厚度。
2.如权利要求1所述的压力传感器用晶片结构，其特征在于，所述底硅的底面上设置有一层保护膜。
3.如权利要求2所述的压力传感器用晶片结构，其特征在于，所述保护膜为氧化层与氮化硅的组合膜。
4.如权利要求1-3任一项所述的压力传感器用晶片结构，其特征在于，所述凹槽横截面为矩形结构。
5.一种压力传感器用晶片结构的加工方法，其特征在于，具体步骤如下：
一、选择采用110晶向圆片作为底硅的晶片，所述晶片包括依次设置的底硅、氧化层与顶硅；
二、在炉管内对底硅的表面生长保护膜；
三、根据压力传感器的要求，在晶片的表面制作半导体元件；
四、对底硅底面上的保护膜进行刻蚀，在保护膜上形成凹槽图形，所述凹槽图形的位置和宽度尺寸与所述半导体元件相对应，为凹槽的腐蚀形成做准备；
五、以步骤四之后得到的保护膜为掩模，采用湿法腐蚀方式对底硅进行腐蚀，将保护膜上的凹槽图形转移到底硅上，直至所述氧化层，在底硅上形成矩形结构的凹槽。
6.如权利要求5所述的压力传感器用晶片结构的加工方法，其特征在于，所述第五步骤后还包括根据压力传感器的需要去除保护膜的步骤。
7.如权利要求5所述的压力传感器用晶片结构的加工方法，其特征在于，所述步骤四中刻蚀方式为光刻加腐蚀。
8.如权利要求5所述的压力传感器用晶片结构的加工方法，其特征在于，所述湿法腐蚀方式的腐蚀液为KOH或NaOH或NH4OH。
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