[发明专利]发光二极管结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210460173.2 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN103579148A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 朱长信;李学麟;徐智魁;陈源泽;吴浩青 申请(专利权)人: 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L27/15;H01L21/762;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种发光二极管结构及其制造方法。此发光二极管结构包含绝缘基板、数个发光二极管芯片以及数个内连线层。每一发光二极管芯片包含依序堆叠在绝缘基板的表面上的外延层以及介电层。每一发光二极管芯片设有第一电性接触孔与第二电性接触孔贯穿介电层,以及第一隔离沟槽位于外延层中且介于发光二极管芯片的第二电性接触孔与相邻的发光二极管芯片的第一电性接触孔之间。每一内连线层由每一发光二极管芯片的第二电性接触孔中经由第一隔离沟槽上方而延伸至相邻的发光二极管芯片的第一电性接触孔中,以电连接这些发光二极管芯片。
搜索关键词: 发光二极管 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管结构,包含:绝缘基板;多个发光二极管芯片,其中每一该些发光二极管芯片包含依序堆叠在该绝缘基板的一表面上的一外延层以及一介电层,且每一该些发光二极管芯片设有:第一电性接触孔与第二电性接触孔,贯穿该介电层;以及第一隔离沟槽,位于该外延层中,且介于该发光二极管芯片的该第二电性接触孔与相邻的该发光二极管芯片的该第一电性接触孔之间;以及多个内连线层,其中每一该些内连线层由每一该些发光二极管芯片的该第二电性接触孔中经由该第一隔离沟槽上方而延伸至相邻的该发光二极管芯片的该第一电性接触孔中,以电连接该些发光二极管芯片。
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