[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的制备方法无效
| 申请号： | 201210458721.8 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811596A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李宁宁;王立彬;蔡炯祺 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种氮化镓基发光二极管的制备方法，涉及光电技术领域。本发明的方法步骤为： |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管的制备方法，其步骤为： ![]()
在衬底（1）上沉积外延氮化镓层（2）；![]()
在外延氮化镓层（2）表面用电子束蒸发的方法蒸镀透明导电膜（3）；![]()
在器件表面刻蚀分出N型氮化镓区域和切割道区域（4）；![]()
用剥离与蒸镀工艺分别在N型氮化镓区域和切割道区域（4）表面各制作一个金属电极（5）；![]()
用剥离与溅射工艺在N型氮化镓区域和切割道区域（4）表面制作一层介质膜（6）；![]()
用等离子化学气相沉积与ICP设备刻蚀的方法在器件表面覆盖钝化膜（7）。
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