[发明专利]具有中继器件的存储器元件有效
| 申请号： | 201210458102.9 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103137188B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | L-S·刘;M·T·阐;徐彦忠;I·拉希姆;J·T·瓦特 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有中继器件的存储器元件。提供了一种具有存储器元件的集成电路。集成电路可以包括形成在第一部分里的逻辑电路，第一部分具有互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，并且可以包括形成在第二部分里的至少一部分存储器元件和关联的存储器电路，第二部分具有纳米机电（NEM）中继器件。NEM和CMOS器件可以通过电介质堆叠中的通孔互连。在第一部分与第二部分里的器件可以接收各自的电源电压。在一个合适的布置中，存储器元件可以包括两个中继开关，它们提供非易失性存储特性与软错误翻转（SEU）免疫性。在另一个合适的布置中，存储器元件可以包括第一与第二交叉耦合的反相电路。第一反相电路可以包括中继开关，而第二反相电路仅包括CMOS晶体管。以此方式配置的存储器元件可以用于提供易失性存储特性与SEU免疫性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 中继 器件 存储器 元件 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包含：形成在衬底里并且包括反相器的电路；形成在所述电路的顶部上并且包括耦合到所述反相器的至少一个机械中继开关的机械中继存储器电路；以及插入在所述电路和所述机械中继存储器电路之间的电介质堆叠。
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