[发明专利]半导体器件的金属栅极结构有效
| 申请号： | 201210455338.7 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681670A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 简珮珊;巫凯雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造，更具体而言，涉及金属栅极结构。半导体器件的示例性结构包括：衬底，该衬底包括分离并围绕P型有源区和N型有源区的隔离区；位于P型有源区上方的P型栅极结构中的P型功函数金属层，其中，所述P型功函数金属层包括第一底部和第一侧壁，其中，第一底部包括具有第一厚度的第一金属化合物层；以及位于所述N型有源区上方的N型栅极结构中的N型功函数金属层，其中，N型功函数金属层包括第二底部和第二侧壁，其中第二底部包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二金属化合物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 栅极 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括隔离并围绕P型有源区和N型有源区的隔离区；P型功函数金属层，位于所述P型有源区上方的P型栅极结构中，其中，所述P型功函数金属层包括第一底部和第一侧壁，所述第一底部包括具有第一厚度的第一金属化合物层；以及N型功函数金属层，位于所述N型有源区上方的N型栅极结构中，其中，所述N型功函数金属层包括第二底部和第二侧壁，所述第二底部包括具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二金属化合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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