[发明专利]银和硫化镉纳米粒子共修饰二氧化钛纳米管阵列的制备无效

专利信息
申请号: 201210454483.3 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN102965710A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 杨修春;王青尧;池丽娜 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 吴林松
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于纳米材料制备领域,涉及一种银和硫化镉纳米粒子对二氧化钛纳米管数组进行共修饰的方法,包括以下步骤:将高纯钛片超声清洗除油,去除自然氧化膜,进行二次阳极氧化,制备出有序二氧化钛纳米管数组;采用偶联剂处理二氧化钛纳米管数组,并SILAR法沉积Ag纳米粒子并对Ag修饰过的二氧化钛纳米管数组继续进行CdS纳米粒子修饰,制备成Ag和CdS纳米粒子共修饰二氧化钛纳米管数组。本发明操作简单,成本低,通过贵金属与窄能隙半导体纳米粒子对二氧化钛纳米管数组进行共修饰,可以有效地扩展TiO2在可见光区的吸收范围并且降低电子空穴对的复合率,在太阳能电池,有毒有害污染物的降解等方面前景广阔。
搜索关键词: 硫化 纳米 粒子 修饰 氧化 阵列 制备
【主权项】:
一种银和硫化镉纳米粒子共修饰二氧化钛纳米管阵列的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)将高纯钛片超声清洗除油,去除自然氧化膜,进行二次阳极氧化,制备出有序二氧化钛纳米管阵列,然后进行煅烧相转变,得到锐钛相二氧化钛纳米管阵列;(2)采用偶联剂处理步骤(1)中得到的锐钛相二氧化钛纳米管阵列,并通过连续离子层吸附法沉积Ag纳米粒子;得到Ag纳米粒子修饰二氧化钛纳米管阵列;(3)采用连续离子层吸附法,对Ag修饰过的二氧化钛纳米管阵列继续进行CdS纳米粒子修饰。
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