[发明专利]一种硅基各向同性湿法刻蚀工艺

摘要

本发明提供一种新的硅基各向同性湿法刻蚀工艺，通过在其表面先形成二层牺牲层：+负性450CP光刻胶，再通过硅微加工的光刻工艺形成要加工的图形，再利用各向同性腐蚀，得到深度与宽度之比很小二维加工图形。本发明在选择合理配比的腐蚀系统中加入一定量醋酸和水作为缓冲剂稳定腐蚀速率，将腐蚀液放置在冰水混合物中控制反应温度，得到最佳腐蚀速率、深宽比和表面质量的硅腐蚀系统。

主权项

一种硅基各向同性湿法刻蚀工艺，工艺步骤如下： a、牺牲层的形成： a.1、采用氧化炉在硅片表面生长一层SiO2，形成第一层牺牲层，工艺条件：温度：1120℃；  时间： 10´+85´+10´SiO2厚度：800±50nm; a.2、在生长有SiO2层的硅片上涂一层负性光刻胶，从而形成第二层牺牲层，工艺条件：涂胶台转速：2000转/min，光刻胶胶性：负性；光刻胶厚度：20000±1000nm;光刻胶粘度：450CPb、图形的形成：采用光刻工艺在第二层牺牲层上形成所需图形，光刻条件：光强=1.4±0.2mW/cm2；曝光时间=10±2sec；c、各向同性腐蚀： 在温度18℃条件下将形成所需图形的硅片浸入腐蚀液中，腐蚀时间：20min;腐蚀厚度：2um。