[发明专利]一种硅基各向同性湿法刻蚀工艺

权利要求书

1.一种硅基各向同性湿法刻蚀工艺，工艺步骤如下： 

a、牺牲层的形成： 

a.1、采用氧化炉在硅片表面生长一层SiO₂，形成第一层牺牲层，

工艺条件：

温度：1120℃；  时间： 10′+85′+10′

SiO₂厚度：800±50nm;

 a.2、在生长有SiO₂层的硅片上涂一层负性光刻胶，从而形成第二层牺牲层，工艺条件：

涂胶台转速：2000转/min，

光刻胶胶性：负性；

光刻胶厚度：20000±1000nm;

光刻胶粘度：450CP

b、图形的形成：

采用光刻工艺在第二层牺牲层上形成所需图形，

光刻条件：光强=1.4±0.2mW/cm²；曝光时间=10±2sec；

c、各向同性腐蚀： 

在温度18℃条件下将形成所需图形的硅片浸入腐蚀液中，腐蚀时间：20min;腐蚀厚度：2um。

2.根据权利要求1所述的一种硅基各向同性湿法刻蚀工艺，其特征在于步骤c中所述的腐蚀液成分及配比体积比为：

HNO₃+HF+CH₃COOH+ H₂O₂=16：10：4：1 

浓度为：HNO₃ 68%（V/V）、HF  48%（V/V）、CH₃COOH  99.8%（V/V）。