[发明专利]一种控制离子注入均匀分布的方法有效
| 申请号： | 201210442577.9 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103794452A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴巧艳 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/147 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种精确控制离子注入分布均匀的方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该方法包括高精度多通道I/V采集转换、水平方向束分布密度的检测与修正、束平行度检测、垂直扫描控制算法。系统主要由多线圈调节磁铁、多级调节磁极、移动法拉第杯、采样法拉第杯、直线电机和PMAC运动控制系统构成。本发明能够自动实现离子注入离子的剂量的精确检测、自动实现注入离子分布的均匀性和剂量的准确性控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 离子 注入 均匀分布 方法 | ||
【主权项】：
一种用于精确控制离子注入分布均匀的系统包括：多线圈调节磁铁、多级调节磁极、移动法拉第杯、采样法拉第杯、直线电机和PMAC运动控制系统。
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