[发明专利]利用材料改性分离半导体裸片的方法有效
| 申请号： | 201210442309.7 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094206B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曼弗雷德·恩格尔哈德特;彼得拉·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及利用材料改性分离半导体裸片的方法，其中，一种分离半导体裸片的方法包括：在半导体晶片上形成多孔区域；以及使用机械或其他方式在该多孔区域处分离裸片。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 材料 改性 分离 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种分离半导体裸片的方法，包括：在半导体晶片上形成要去除的一个或多个部分；以及在所述要去除的一个或多个部分处分离所述裸片，其中，分离所述裸片包括在所述半导体晶片下面提供刚性的冲头，在所述半导体晶片上面提供屏障，所述屏障包括面向所述半导体晶片的凹面并且所述凹面的顶部与所述冲头对齐；将所述半导体晶片相对所述冲头移动至第一位置，朝着所述半导体晶片推动所述冲头以在所述第一位置使要去除的一个部分断裂，将所述半导体晶片相对所述冲头移动至第二位置，以及朝着所述半导体晶片推动所述冲头以在所述第二位置使要去除的一个部分断裂，其中，推动所述冲头导致所述半导体晶片的所述冲头所接触的部分朝着所述屏障向上呈弧形，当所述半导体晶片接触所述屏障时，所述冲头的向上运动停止。
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