[发明专利]利用材料改性分离半导体裸片的方法有效
| 申请号： | 201210442309.7 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094206B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曼弗雷德·恩格尔哈德特;彼得拉·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 材料 改性 分离 半导体 方法 | ||
1.一种分离半导体裸片的方法，包括：
在半导体晶片上形成多孔区域；以及
在所述多孔区域处分离所述裸片。
2.根据权利要求1所述的分离半导体裸片的方法，其中，所述半导体裸片包括碳化硅。
3.根据权利要求1所述的分离半导体裸片的方法，其中，所述多孔区域使用阳极方式形成。
4.根据权利要求3所述的分离半导体裸片的方法，其中，所述阳极方式还包括氢氟酸。
5.根据权利要求1所述的分离半导体裸片的方法，其中，使用机械装置进行所述分离。
6.根据权利要求1所述的分离半导体裸片的方法，其中，化学地进行所述分离。
7.一种分离半导体裸片的方法，包括：
在半导体晶片上形成多孔区域；
氧化所述多孔区域，以形成氧化区域；以及
在所述氧化区域处分离所述裸片。
8.根据权利要求7所述的分离半导体裸片的方法，其中，使用湿热工序进行所述氧化。
9.根据权利要求7所述的分离半导体裸片的方法，其中，所述多孔区域使用氢氟酸形成。
10.根据权利要求7所述的分离半导体裸片的方法，其中，使用机械装置进行所述分离。
11.根据权利要求10所述的分离半导体裸片的方法，其中，所述机械装置包括基本上刚性的环。
12.根据权利要求7所述的分离半导体裸片的方法，其中，使用化学方式进行所述分离。
13.一种分离半导体裸片的方法，包括：
在半导体晶片上形成多孔区域；
氧化所述多孔区域，以形成氧化区域；
将所述半导体晶片附接至支持材料；以及
在所述氧化区域分离所述裸片。
14.根据权利要求12所述的分离半导体裸片的方法，还包括在分离之后去除所述支持材料。
15.一种分离半导体裸片的方法，包括：
在半导体晶片的第一侧上沉积第一辅助层；
在所述第一辅助层上沉积第二辅助层；
蚀刻所述第二辅助层；
在半导体晶片的第二侧上沉积导电层；
在半导体晶片上形成多孔区域；
氧化所述多孔区域，以形成氧化区域；
将所述半导体晶片附接至支持材料；以及
在所述氧化区域处分离所述裸片。
16.根据权利要求15所述的分离半导体裸片的方法，其中，分离方法包括干式蚀刻剂。
17.根据权利要求15所述的分离半导体裸片的方法，其中，分离方法包括机械力。
18.根据权利要求15所述的分离半导体裸片的方法，其中，分离方法包括化学方式。
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