[发明专利]适用于超级结器件的外延片制作方法

摘要

本发明公开了一种适用于超级结器件的外延片制作方法，包括步骤：提供一掺杂硅片；对硅片进行去边处理；将硅片放置到外延设备中，在第一温度值的条件下调节热场参数，使形成的外延薄膜的电阻率分布平坦化；将外延设备的工艺温度设定为比所述第一温度值大30℃的第二温度值，热场参数不变，进行外延生长。本发明能使外延片的电阻率呈同心圆分布，从而能提高采用沟槽填充工艺的超级结器件的击穿电压的均匀性。

主权项

一种适用于超级结器件的外延片制作方法，其特征在于，包括步骤：步骤一、提供一硅片，所述硅片的掺杂类型和后续要形成的外延层的掺杂类型相同，所述硅片的掺杂浓度大于后续要形成的所述外延层的掺杂浓度；步骤二、对所述硅片背面的热氧化层进行去边处理，该去边处理用于去除所述硅片边缘处的热氧化层，所述去边处理的去边量为2毫米；步骤三、将所述硅片放置到外延设备中，将所述外延设备的工艺温度设定在第一温度值，在所述第一温度值的条件下调节热场参数，使所述外延设备形成的热场能够满足在所述第一温度值下形成的外延薄膜电阻率分布均匀；步骤四、将所述外延设备的工艺温度设定为第二温度值，该第二温度值比所述第一温度值大30℃，所述热场参数不变；进行外延生长，在所述硅片上形成所述外延层，外延生长过程中，利用所述硅片的杂质扩散到所述外延层中实现对所述外延层的自掺杂，该自掺杂使所述外延层的电阻率由中心到边缘呈下降趋势并呈同心圆分布。