[发明专利]适用于超级结器件的外延片制作方法有效
| 申请号： | 201210437553.4 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103035494A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张洪伟;董颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/22 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 超级 器件 外延 制作方法 | ||
1.一种适用于超级结器件的外延片制作方法，其特征在于，包括步骤：
步骤一、提供一硅片，所述硅片的掺杂类型和后续要形成的外延层的掺杂类型相同，所述硅片的掺杂浓度大于后续要形成的所述外延层的掺杂浓度；
步骤二、对所述硅片背面的热氧化层进行去边处理，该去边处理用于去除所述硅片边缘处的热氧化层，所述去边处理的去边量为2毫米；
步骤三、将所述硅片放置到外延设备中，将所述外延设备的工艺温度设定在第一温度值，在所述第一温度值的条件下调节热场参数，使所述外延设备形成的热场能够满足在所述第一温度值下形成的外延薄膜电阻率分布均匀；
步骤四、将所述外延设备的工艺温度设定为第二温度值，该第二温度值比所述第一温度值大30℃，所述热场参数不变；进行外延生长，在所述硅片上形成所述外延层，外延生长过程中，利用所述硅片的杂质扩散到所述外延层中实现对所述外延层的自掺杂，该自掺杂使所述外延层的电阻率由中心到边缘呈下降趋势并呈同心圆分布。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二的所述去边处理是采用HF蒸汽去除所述硅片背面边缘处的热氧化层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片和所述外延层的掺杂类型都为N型。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中所述第一温度值为1060℃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述外延层的掺杂还包括在外延生长时进行在位掺杂或者在外延生长后进行离子注入掺杂。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中所调节的热场参数为所述外延设备的加热线圈与工艺腔的间距。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
