[发明专利]一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料

摘要

一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm，如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料；该p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料用于硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是：该材料光学带隙可达2.0~3.7eV，电导率可达0.1~5.0S/cm；该材料用于硅基薄膜太阳电池，可显著提高电池的开路电压，降低窗口层的光吸收损失，提高电池的短波响应和短路电流密度，提高光电转换效率。

主权项

一种p型非晶硅碳‑纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，其特征在于：是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2‑8nm，该薄膜中碳含量为30‑100%，然后是一层p型纳米颗粒硅薄膜，该薄膜厚度为2‑8nm，薄膜内部硅结晶形态为颗粒状，结晶成分占全部材料的体积百分比为70‑100%；如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20‑50nm的p型非晶硅碳‑纳米颗粒硅多量子阱材料。