[发明专利]一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料

权利要求书

1.一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，其特征在于：是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，该薄膜中碳含量为30-100%，然后是一层p型纳米颗粒硅薄膜，该薄膜厚度为2-8nm，薄膜内部硅结晶形态为颗粒状，结晶成分占全部材料的体积百分比为70-100%；如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料。

2.根据权利要求1所述p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，其特征在于：所述p型纳米颗粒硅薄膜的制备工艺为：反应温度50-110℃，反应气源为硅烷、硼烷和氢气的混合气体，其中氢气占气体体积流量的百分比不低于99%，辉光功率密度为0.5-1W/cm²，等离子体处于γ-regime状态。

3.一种如权利要求1所述p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料的应用，其特征在于：用于硅基薄膜太阳电池，当采用玻璃或透明塑料为衬底时，该硅基薄膜太阳电池由玻璃或透明塑料衬底、前电极、p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层、本征吸收层、n型掺杂层和背电极依次叠加构成，当采用不锈钢或不透明塑料为衬底时，该硅基薄膜太阳电池由背电极、n型掺杂层、本征吸收层、p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层和前电极依次叠加构成。

4.根据权利要求3所述p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料的应用，其特征在于：所述本征吸收层材料为非晶硅、非晶硅锗、非晶硅氧、非晶硅碳、微晶硅或微晶硅锗；所述n型掺杂层材料为n型非晶硅、n型微晶硅、n型非晶硅氧或n型微晶硅氧。