[发明专利]一种提高刻蚀不足缺陷抓取率的方法有效
| 申请号： | 201210432460.2 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102938384A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;刘永波;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种提高刻蚀不足缺陷抓取率的方法，包括扫描晶圆的对比铜连接孔、连接孔边缘和背景的像素大小和灰阶，并按像素从大到小确定背景区域、对比铜连接孔区域和连接孔边缘区域；扫描晶圆的刻蚀不足铜连接孔的灰阶；比较对比铜连接孔区域的灰阶与刻蚀不足铜连接孔的灰阶的差异。本发明在生产过程中可以比较有效地提高蚀刻不足缺陷的抓取率，为监测蚀刻工艺优劣提供依据；并在需要进行分批实验对工艺进行优化时，为采取改善措施技术支持，为缩短产品研发周期提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 刻蚀 不足 缺陷 抓取 方法 | ||
【主权项】：
一种提高刻蚀不足缺陷抓取率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：扫描晶圆的对比铜连接孔、连接孔边缘和背景的像素大小，并按像素从大到小确定背景区域、对比铜连接孔区域和连接孔边缘区域；步骤2：扫描确定背景区域、对比铜连接孔区域和连接孔边缘区域的灰阶；步骤3：扫描晶圆的刻蚀不足铜连接孔的灰阶；步骤4：比较对比铜连接孔区域的灰阶与刻蚀不足铜连接孔的灰阶的差异。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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