[发明专利]一种氮化物LED外延片及其生长方法无效
| 申请号： | 201210429391.X | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969416A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李鸿渐;李盼盼;李志聪;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮化物LED结构及生长方法，涉及半导体光电技术领域，其结构自下而上依次为衬底、低温缓冲层、非故意掺杂GaN、N型电子注入层、InGaN/GaN插入层、有源区、电子阻挡层、u-GaN/p-GaN超晶格、p-GaN空穴注入层。在N型电子注入层和有源区之间生长InGaN/GaN插入层有效缓解了有源区的应力，降低极化电场，减小量子阱限制斯塔克效应，提高亮度和抗静电特性；在电子阻挡层和P型空穴注入层之间插入u-GaN/p-GaN超晶格，提高了电流扩展能力，降低芯片工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED外延片，包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层和P型空穴注入层之间的多量子阱有源区，且在所述多量子阱有源区和所述P型空穴注入层之间包含一电子阻挡层，其特征在于，在所述N型电子注入层和多量子阱有源区之间设置1～50对N型InGaN/GaN插入层，且在所述电子阻挡层和P型空穴注入层之间设置1～50对P型u‑GaN/p‑GaN超晶格层。
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