[发明专利]一种氮化物LED外延片及其生长方法无效
| 申请号： | 201210429391.X | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969416A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李鸿渐;李盼盼;李志聪;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种氮化物LED外延片，包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层和P型空穴注入层之间的多量子阱有源区，且在所述多量子阱有源区和所述P型空穴注入层之间包含一电子阻挡层，其特征在于，在所述N型电子注入层和多量子阱有源区之间设置1～50对N型InGaN/GaN插入层，且在所述电子阻挡层和P型空穴注入层之间设置1～50对P型u-GaN/p-GaN超晶格层。
2.如权利要求1所述氮化物LED外延片的生长方法，在衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非故意掺杂的GaN层和N型电子注入层；其特征在于在N型电子注入层上生长掺杂浓度为1×1017 cm-3～5×1019 cm-3的1～50对N型InGaN/GaN插入层；再在N型InGaN/GaN插入层上依次生长多量子阱有源区和电子阻挡层；在所述电子阻挡层上生长1～50对u-GaN/p-GaN超晶格层；最后再在u-GaN/p-GaN超晶格层上生长P型空穴注入层。
3.根据权利要求2所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于所述N型InGaN/GaN插入层的生长温度介于上述多量子阱有源区中量子阱和量子垒生长温度之间。
4.根据权利要求2或3所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在所述N型InGaN/GaN插入层的生长时，只对InGaN进行N型掺杂。
5.根据权利要求2或3所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在所述N型InGaN/GaN插入层的生长时，只对GaN进行掺杂。
6.根据权利要求2或3所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在所述N型InGaN/GaN插入层的生长时，同时对InGaN/GaN进行掺杂。
7.根据权利要求2或3所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在所述N型InGaN/GaN插入层的生长时，采用超晶格生长方式生长。
8.根据权利要求2或3所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在所述N型InGaN/GaN插入层的生长时，生长几对较厚的InGaN/GaN，每层InGaN的厚度为1?～500?，每层GaN的厚度为1?～2000?。
9.根据权利要求2所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在生长所述u-GaN/p-GaN超晶格层时，采用P型掺杂的元素对p-GaN层进行Mg掺杂，掺杂浓度为1×1017 cm-3～5×1021 cm-3。
10.根据权利要求2所述氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在生长所述u-GaN/p-GaN超晶格层时，每层u-GaN的厚度为1 ?～500 ?，每层p-GaN的厚度为1?～2000?。
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