[发明专利]反射式电子束泵浦紫外激光管无效
| 申请号： | 201210428122.1 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102983494A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张学渊;钟伟杰;赵健;夏忠平 | 申请（专利权）人： | 上海显恒光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04;H01S5/34 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光领域，具体涉及半导体激光器。反射式电子束泵浦紫外激光管包括一激励源、谐振腔，谐振腔生成在一衬底上，激励源采用一电子枪系统；谐振腔设置在电子枪系统的靶向方向上；谐振腔内设有半导体结构，半导体结构生成在衬底上，衬底上设有一层高禁带半导体层，高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层；半导体结构一端设有高反射镜，另一端设有一低反射镜；电子枪系统包括一真空腔室，激光出射口位于真空腔室侧面，谐振腔的高反射镜的反射方向朝向激光出射口。激光经过高反射镜反射后，通过激光出射口射出。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 电子束 紫外 激光管 | ||
【主权项】：
反射式电子束泵浦紫外激光管包括一激励源、谐振腔，谐振腔生成在一衬底上，其特征在于，所述激励源采用一电子枪系统；所述谐振腔设置在所述电子枪系统的靶向方向上；所述谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬底上设有一层高禁带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层；所述半导体结构一端设有高反射镜，另一端设有一低反射镜；所述电子枪系统包括一真空腔室，自所述真空腔室一端向另一端依次排布有电子枪、电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构、谐振腔、激光出射口；所述激光出射口位于所述真空腔室侧面，所述谐振腔的所述高反射镜的反射方向朝向所述激光出射口；所述电子枪发出的电子束依次经过电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构，形成呈现扫描状态的高能电子束，打入所述谐振腔，为激光发射提供能量；激光经过所述高反射镜反射后，通过所述激光出射口射出；所述高反射镜外侧还设有一散热基片。
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