[发明专利]反射式电子束泵浦紫外激光管

权利要求书

1.反射式电子束泵浦紫外激光管包括一激励源、谐振腔，谐振腔生成在一衬底上，其特征在于，所述激励源采用一电子枪系统；

所述谐振腔设置在所述电子枪系统的靶向方向上；

所述谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬底上设有一层高禁带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层；所述半导体结构一端设有高反射镜，另一端设有一低反射镜；

所述电子枪系统包括一真空腔室，自所述真空腔室一端向另一端依次排布有电子枪、电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构、谐振腔、激光出射口；

所述激光出射口位于所述真空腔室侧面，所述谐振腔的所述高反射镜的反射方向朝向所述激光出射口；

所述电子枪发出的电子束依次经过电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构，形成呈现扫描状态的高能电子束，打入所述谐振腔，为激光发射提供能量；激光经过所述高反射镜反射后，通过所述激光出射口射出；

所述高反射镜外侧还设有一散热基片。

2.根据权利要求1所述的反射式电子束泵浦紫外激光管，其特征在于：所述半导体结构包括至少两种不同材质的所述高禁带半导体层，且包含至少三层所述高禁带半导体层，相邻的两层所述高禁带半导体层为不同材质的所述高禁带半导体层。

3.根据权利要求2所述的反射式电子束泵浦紫外激光管，其特征在于：所述半导体结构包括两种不同材质的所述高禁带半导体层，且包含至少两层所述高禁带半导体层，相邻的两层所述高禁带半导体层为不同材质的所述高禁带半导体层，即，两种材质的所述高禁带半导体层交替排列构成层叠式结构。

4.根据权利要求3所述的反射式电子束泵浦紫外激光管，其特征在于：所述半导体结构中包括一层III-V族半导体材质的高禁带半导体层。

5.根据权利要求3所述的反射式电子束泵浦紫外激光管，其特征在于：所述半导体结构中包括一层II-VI族半导体材质的高禁带半导体层。

6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的反射式电子束泵浦紫外激光管，其特征在于：所述散热基片下方设有一散热底座，所述散热底座连接一循环冷却系统，所述循环冷却系统包括散热管、热交换系统、冷却液，所述散热管埋设在所述散热底座内；所述冷却液设置在所述散热管内，所述热交换系统连接所述散热管的入口和出口。