[发明专利]一种新的腐蚀工艺无效
| 申请号： | 201210423749.8 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794681A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王红亚 | 申请（专利权）人： | 王红亚 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264006 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新的腐蚀工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：刻蚀：将待刻蚀晶片放入刻蚀机中刻蚀；去胶：刻蚀完的晶片按照顺序装入花篮中，将花篮放入正胶剥离液3368中，去胶后镜检，进行氧离子体打胶；台阶仪测试：去胶结束后，使用台阶仪测量刻蚀台阶；ITO退火：将刻蚀符合要求的晶片，进行ITO退火处理；PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀积一层二氧化硅保护膜；用氧化氟膜厚分析仪测量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率。本发明通过对腐蚀工艺进行改进，能够有效提高芯片的稳定性与可靠性，提高ITO薄膜的透过率，降低方阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种新的腐蚀工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：（1）刻蚀：将待刻蚀晶片放入刻蚀机中刻蚀；（2）去胶：刻蚀完的晶片按照顺序装入花篮中，将花篮放入正胶剥离液3368中，去胶后镜检，进行氧离子体打胶；台阶仪测试：去胶结束后，使用台阶仪测量刻蚀台阶；ITO退火：将刻蚀符合要求的晶片，进行ITO退火处理；（5）PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀积一层二氧化硅保护膜；用氧化氟膜厚分析仪测量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率。
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