[发明专利]一种新的腐蚀工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种新的腐蚀工艺，属于LED生产领域。

背景技术

LED照明为当今节能照明的重点领域之一，在LED生产中，腐蚀工艺的优劣直接能影响着芯片的稳定性与可靠性，因此LED的腐蚀工艺在LED生产中起着至关重要的作用。

发明内容

本发明针对不足，提供一种新的腐蚀工艺。 

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：本发明涉及一种新的腐蚀工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：

（1）刻蚀：将待刻蚀晶片放入刻蚀机中刻蚀；

（2）去胶：刻蚀完的晶片按照顺序装入花篮中，将花篮放入正胶剥离液3368中，去胶后镜检，进行氧离子体打胶；

（3）台阶仪测试：去胶结束后，使用台阶仪测量刻蚀台阶；

（4）ITO退火：将刻蚀符合要求的晶片，进行ITO退火处理；

（5）PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀积一层二氧化硅保护膜；用氧化氟膜厚分析仪测量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率。

本发明的有益效果是：通过对腐蚀工艺进行改进，能够有效提高芯片的稳定性与可靠性，提高ITO薄膜的透过率，降低方阻。

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

本发明涉及一种新的腐蚀工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：

（1）刻蚀：将待刻蚀晶片放入刻蚀机中刻蚀；

（2）去胶：刻蚀完的晶片按照顺序装入花篮中，将花篮放入正胶剥离液3368中，去胶后镜检，进行氧离子体打胶；

（3）台阶仪测试：去胶结束后，使用台阶仪测量刻蚀台阶；

（4）ITO退火：将刻蚀符合要求的晶片，进行ITO退火处理；

（5）PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀积一层二氧化硅保护膜；用氧化氟膜厚分析仪测量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。