[发明专利]一种制作金属互连线的方法有效
| 申请号： | 201210419391.1 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794545A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;王宗涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作金属互连线的方法，本发明在制作铜互连线时，为铜互连线增加由钴（Co）层和碳化硅（SiC）层组成的覆盖层，防止铜互连线中的电荷迁移到层间介质层中，这样，就可以阻止所制作的铜互连线中的电荷迁移，防止所制作的半导体器件短路失效，提高半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 金属 互连 方法 | ||
【主权项】：
一种制作金属互连线的方法，该方法包括：在半导体器件的层间介质层上依次沉积黑钻石BD层、正硅酸乙脂TEOS层、氮化钛TiN层和氧化垫；采用光刻方式依次刻蚀氧化垫、TiN层、TEOS层、BD层和层间介质层，形成通孔；在通孔中电镀铜层后，将铜层刻蚀至层间介质层表面下方，形成铜互连线；在铜互连线上沉积钴Co层后，在Co层上沉积氮化硅层，沉积的厚度高于TiN层表面；对氮化硅层抛光，依次抛光掉TiN层、TEOS层及BD层，直到层间介质层为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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