[发明专利]一种制作金属互连线的方法

权利要求书

1.一种制作金属互连线的方法，该方法包括：

在半导体器件的层间介质层上依次沉积黑钻石BD层、正硅酸乙脂TEOS层、氮化钛TiN层和氧化垫；

采用光刻方式依次刻蚀氧化垫、TiN层、TEOS层、BD层和层间介质层，形成通孔；

在通孔中电镀铜层后，将铜层刻蚀至层间介质层表面下方，形成铜互连线；

在铜互连线上沉积钴Co层后，在Co层上沉积氮化硅层，沉积的厚度高于TiN层表面；

对氮化硅层抛光，依次抛光掉TiN层、TEOS层及BD层，直到层间介质层为止。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将铜层刻蚀至层间介质层表面下方的过程为：

采用先采用化学机械平坦化方式抛光至TiN层，再采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式进行。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将铜层刻蚀至层间介质层表面下方的过程为：

用先采用化学机械平坦化方式抛光至TiN层，再采用双氧水、再采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式进行。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积Co层的方式为：

采用硫化钴CoSO4和氯化钴CoCI2的混合气体在铜表面沉积Co，气体密度为1～3埃每平方厘米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光掉TiN层、TEOS层及BD层，直到层间介质层为止采用化学机械平坦化方式进行。