[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 201210415298.3 | 申请日: | 2012-10-26 |
公开(公告)号: | CN103088287A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 广田悟史;山本兼司;玉垣浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | C23C14/00 | 分类号: | C23C14/00;C23C14/22;C23C16/00;C23C16/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吕琳;李浩 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源,该溅射蒸发源包括:非平衡磁场形成单元,该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成;以及靶,配备在非平衡磁场形成单元的前方,进而,所述成膜装置还具有交流电源,该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流,从而在两靶之间引起放电而进行成膜。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其包括:真空腔;以及两台溅射蒸发源,配备在所述真空腔内,所述溅射蒸发源包括下述部件:非平衡磁场形成单元,所述非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在所述内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成;以及靶,配备在所述非平衡磁场形成单元的前方,在此,所述成膜装置具有交流电源,所述交流电源在两台所述溅射蒸发源的一方的所述溅射蒸发源的所述靶和另一方的所述溅射蒸发源的所述靶之间,流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流。
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