[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其包括：

真空腔；以及

两台溅射蒸发源，配备在所述真空腔内，

所述溅射蒸发源包括下述部件：

非平衡磁场形成单元，所述非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在所述内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及

靶，配备在所述非平衡磁场形成单元的前方，

在此，所述成膜装置具有交流电源，所述交流电源在两台所述溅射蒸发源的一方的所述溅射蒸发源的所述靶和另一方的所述溅射蒸发源的所述靶之间，流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

两台所述溅射蒸发源的、所述内极磁铁彼此互为同极并且所述外极磁铁彼此互为同极。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

在所述溅射蒸发源的前方以开闭自由的方式设置有覆盖靶的前方的开闭器，

所述开闭器在全开时的打开角为90o以上。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

在所述真空腔内还具有阴极放电型的电弧式蒸发源。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

还具有对所述真空腔内供给反应气体和惰性气体的混合气体的气体供给单元。

6.一种使用权利要求1所述的成膜装置进行成膜的成膜方法，其中，

通过利用所述交流电源流过交流电流，从而一边在两台所述溅射蒸发源的各靶之间引起放电一边进行成膜。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，

通过向所述真空腔内供给反应气体和惰性气体的混合气体并采用所述放电使所述混合气体电离，从而使CVD薄膜成膜。

8.根据权利要求7所述的成膜方法，其中，

所述反应气体为氮气。