[发明专利]基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法有效
| 申请号： | 201210413632.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102928103A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/00 | 分类号： | G01K7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，采用相同或不同的电压值（VG）加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（VG）后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，对半导体器件的使用寿命影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ldmos 工艺 制作 半导体器件 温度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，其特征在于：采用相同或不同的电压值（VG）加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（VG）后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。
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