[发明专利]基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法有效
| 申请号： | 201210413632.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102928103A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/00 | 分类号： | G01K7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 ldmos 工艺 制作 半导体器件 温度 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，其特征在于：
采用相同或不同的电压值（VG）加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；
再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（VG）后的电流值；
之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。
2.根据权利要求1所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于：所述两个非固定端为所述LDMOS三极管的栅极电阻的任意长度区间。
3.根据权利要求1或2所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于：所述两个非固定端，包括第一非固定端（1）和第二非固定端（2）。
4.根据权利要求1所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于：所述LDMOS三极管的衬底采用硅材料制成。
5.根据权利要求4所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于：所述硅材料为块状硅。
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