[发明专利]相变存储单元的制作方法有效
| 申请号： | 201210413488.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779496B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种相变存储单元的制作方法，包括在对所述相变材料层进行低温退火处理的过程中，在温度为20℃～174℃环境中通入含氧气体，并利用微波或紫外线照射所述相变材料层。本发明所述相变存储单元的制作方法通过在对所述相变材料层进行退火的工艺中，采用低温退火方式，并配合微波或紫外线，不仅不会导致相变材料层特性的改变，避免相变材料层的扯皮问题的发生，而且能够使相变材料层较好地部分氧化或全部氧化，由于氧化后的相变材料层具有更好的粘附性能，能够与金属层更好地接触，提高相变材料层与金属层的粘合能力，进而提高相变存储单元的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元的制作方法，包括，提供相变基底，所述相变基底包括介质层和形成于所述介质层中的金属层；利用光刻和刻蚀工艺，在所述介质层中形成沟槽，所述沟槽底面暴露所述金属层；沉积相变材料层，以填充所述沟槽；利用化学机械研磨工艺，去除所述沟槽以外的相变材料层；进行低温退火处理，在温度为20℃～174℃环境中通入含氧气体，并利用微波或紫外线照射所述相变材料层。
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