[发明专利]相变存储单元的制作方法有效
| 申请号： | 201210413488.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779496B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 制作方法 | ||
1.一种相变存储单元的制作方法，包括，
提供相变基底，所述相变基底包括介质层和形成于所述介质层中的金属层；
利用光刻和刻蚀工艺，在所述介质层中形成沟槽，所述沟槽底面暴露所述金属层；
沉积相变材料层，以填充所述沟槽；
利用化学机械研磨工艺，去除所述沟槽以外的相变材料层；
进行低温退火处理，在温度为20℃～174℃环境中通入含氧气体，并利用微波或紫外线照射所述相变材料层。
2.如权利要求1所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，所述环境温度为150℃～170℃。
3.如权利要求1所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，环境压力为0.5托～780托。
4.如权利要求3所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，所述环境压力为760托。
5.如权利要求1所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，利用微波照射所述相变材料层，所述微波的波长为1mm～300mm，功率为100W～500W。
6.如权利要求1所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，利用紫外线照射所述相变材料层，所述紫外线的波长为1nm～200nm，功率为100W～500W。
7.如权利要求1所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，所述含氧气体为臭氧、氧气、一氧化氮及一氧化二氮的一种或几种组合。
8.如权利要求1所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，所述含氧气体的通入量为5sccm～5000sccm。
9.如权利要求8所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，在进行低温退火处理的步骤中，所述含氧气体的通入量为3000sccm。
10.如权利要求1至9中任意一项所述的相变存储单元的制作方法，其特征在于，所述相变材料层的相变材料为锗锑碲化合物。
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