[发明专利]一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法在审
| 申请号: | 201210413454.2 | 申请日: | 2012-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN102969273A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
| 发明(设计)人: | 易春艳 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
| 地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法,其包括在第一绝缘介质层中,形成第一金属互连线;在第一金属互连线表面,选择性生长一层金属阻挡层,刻蚀第一金属互连线间的介质,形成第一金属互连线间的间隔槽;淀积第二绝缘介质层以形成空气隙;然后,光刻、刻蚀绝缘介质层,形成第二金属互连线沟槽和第一金属通孔;沉积扩散阻挡层,填充金属,以形成第一金属通孔和第二金属互连线。因此,通过本发明的形成方法,在金属铜表面选择性生长一层金属阻挡层,利用此选择性生长的金属阻挡层作为刻蚀硬掩膜,可以减少一次光刻步骤,从而在更低的工艺成本下,实现无损伤的铜金属互连工艺,并且使互连工艺窗口更大。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 空气 大马士革 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法,其特征在于,所述的方法包括如下步骤:步骤S1:在第一绝缘介质层中,形成第一金属互连线;步骤S2:在所述第一金属互连线表面,选择性生长一层金属阻挡层,其中,所述的选择性生长金属阻挡层完全覆盖所述第一金属互连线,以及刻蚀所述第一金属互连线间的介质,形成所述第一金属互连线间的间隔槽;步骤S3: 然后,在所述的选择性生长金属阻挡层以及第一绝缘介质层上淀积第二绝缘介质层,以在所述间隔槽中形成空气隙;步骤S4:在所述第二绝缘介质层上淀积第三绝缘介质层,并光刻、刻蚀所述第三绝缘介质层和第二绝缘介质层,以形成第二金属互连线沟槽和第一金属通孔结构;步骤S5:在所述第二金属互连线沟槽和第一金属通孔结构中沉积扩散阻挡层,填充金属,以形成第一金属通孔和第二金属互连线,所述第一和第二金属互连线通过所述第一金属通孔实现电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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