[发明专利]一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210413454.2 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102969273A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 易春艳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 空气 大马士革 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
步骤S1：在第一绝缘介质层中，形成第一金属互连线；
步骤S2：在所述第一金属互连线表面，选择性生长一层金属阻挡层，其中，所述的选择性生长金属阻挡层完全覆盖所述第一金属互连线，以及
刻蚀所述第一金属互连线间的介质，形成所述第一金属互连线间的间隔槽；
步骤S3： 然后，在所述的选择性生长金属阻挡层以及第一绝缘介质层上淀积第二绝缘介质层，以在所述间隔槽中形成空气隙；
步骤S4：在所述第二绝缘介质层上淀积第三绝缘介质层，并光刻、刻蚀所述第三绝缘介质层和第二绝缘介质层，以形成第二金属互连线沟槽和第一金属通孔结构；
步骤S5：在所述第二金属互连线沟槽和第一金属通孔结构中沉积扩散阻挡层，填充金属，以形成第一金属通孔和第二金属互连线，所述第一和第二金属互连线通过所述第一金属通孔实现电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属互连线是通过单大马士革工艺形成的。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层是由不含硅的有机低介电材料构成。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述不含硅的有机低介电材料包括SILK或有机的Polymide材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性生长金属阻挡层的选择性生长是各向同性的，其包括垂直于第一金属互连线方向生长和平行于第一金属互连线方向生长。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性生长金属阻挡层的宽度大于第一金属互连线的宽度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性生长金属阻挡层是COWP或者COWBP。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀是采用不含氟的气体进行刻蚀的，其中，所述气体为O2/H2/N2/Ar/CO2/CO或者以上几种气体的混合物或者加入少量CxHyFz(x>0；y>=0；z>=1)。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘介质层是通过非保形性CVD淀积工艺形成。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘介质层是由氧化硅、掺氟氧化硅（FSG）、或者其他低介电常数介质材料构成。
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