[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210410515.X | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103066128B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 栃林克明;日向野聪;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张金金,朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在绝缘表面上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上形成绝缘层，该绝缘层与所述栅电极层重叠；在所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上形成导电膜；使用含有卤素元素的蚀刻气体对所述导电膜进行蚀刻以形成源电极层和漏电极层；以及通过氧等离子体处理或一氧化二氮等离子体处理去除所述氧化物半导体膜中的所述卤素元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210410515.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低腐蚀复合氯盐融雪剂
- 下一篇：内燃机的水泵
- 同类专利
- 专利分类
