[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上形成绝缘层，该绝缘层与所述栅电极层重叠；

在所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上形成导电膜；

使用含有卤素元素的蚀刻气体对所述导电膜进行蚀刻以形成源电极层和漏电极层；以及

通过氧等离子体处理或一氧化二氮等离子体处理去除所述氧化物半导体膜中的所述卤素元素。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中经过所述去除步骤的所述氧化物半导体膜中的氯浓度为5×10¹⁸atoms/cm³以下。

3.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上形成绝缘层；

使用含有卤素元素的蚀刻气体对所述绝缘层进行蚀刻以在与所述栅电极层重叠的位置形成沟道保护膜；

去除所述氧化物半导体膜中的所述卤素元素；

在所述氧化物半导体膜及所述沟道保护膜上形成导电膜；以及

对所述导电膜进行蚀刻形成源电极层和漏电极层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中经过所述去除步骤的所述氧化物半导体膜中的氯浓度为5×10¹⁸atoms/cm³以下。

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中作为所述去除步骤进行氧等离子体处理或一氧化二氮等离子体处理。

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中作为所述去除步骤进行利用稀氢氟酸溶液的洗涤处理。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上形成绝缘层；

使用含有卤素元素的第一蚀刻气体对所述绝缘层进行蚀刻以在与所述栅电极层重叠的位置形成沟道保护膜；

去除所述氧化物半导体膜中的包含于所述第一蚀刻气体中的所述卤素元素；

在所述氧化物半导体膜及所述沟道保护膜上形成导电膜；

使用含有卤素元素的第二蚀刻气体对所述导电膜进行蚀刻形成源电极层和漏电极层；以及

去除所述氧化物半导体膜中的包含于所述第二蚀刻气体中的所述卤素元素。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中经过利用所述第二蚀刻气体的所述去除步骤的所述氧化物半导体膜中的氯浓度为5×10¹⁸atoms/cm³以下。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中作为使用所述第一蚀刻气体的所述去除步骤和使用所述第二蚀刻气体的所述去除步骤中的至少一个进行氧等离子体处理或一氧化二氮等离子体处理。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中作为使用所述第一蚀刻气体的所述去除步骤和使用所述第二蚀刻气体的所述去除步骤中的至少一个进行利用稀氢氟酸溶液的洗涤处理。