[发明专利]一种低温烧结的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201210409868.8 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102910905A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 戴叶婧;孙涛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/622;C04B41/88;H01L41/187 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温烧结的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法，其原料组分及摩尔百分比为(1-x)(Ba0.865Ca0.135)(Ti0.89Zr0.11)O3-xCuO，其中0＜x＜0.1；烧结温度为1350～1450℃，保温2h。本发明烧结温度低，陶瓷致密度高，压电性能优异，综合性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 钛酸钡 钙基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温烧结的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷，其原料组分及摩尔百分比为(1‑x)(Ba0.865Ca0.135)(Ti0.89Zr0.11)O3‑xCuO，其中0
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