[发明专利]一种聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有光电转换性能的聚苯胺与II-VI族半导体纳米粒子的复合光电转换薄膜及其制备方法。本发明首先采用层层自组装技术将聚苯胺与剥离的水滑石纳米片自组装制备成薄膜，再将其原位硫化或硒化制备成聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜。本发明通过主客体有序组装，使聚苯胺在水滑石层间均匀的分散，在结构上起到稳定聚苯胺的作用，在功能上对聚苯胺分子的光、电、催化等性质起到促进作用；经定点硫化或硒化后得到的聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜，在结构上聚苯胺和水滑石作为II-VI族半导体的双基质，可有效地抑制II-VI族半导体的团聚，在性能上聚苯胺可与II-VI族半导体形成异质节，可提高其光电性能。

主权项

一种聚苯胺与II‑VI族半导体复合光电转换薄膜的制备方法，其特征在于，其具体步骤如下：1)制备层间阴离子为NO3‑或者Cl‑，层板二价、三价金属阳离子摩尔比M2+/M3+=2.0‑4.0的水滑石前体；所述的二价金属阳离子M2+为Zn2+，或者Zn2+和Cd2+，或者Zn2+和Cu2+；所述的三价金属阳离子M3+为Al3+、Cr3+、Ga3+、In3+、Co3+、Fe3+、La3+和V3+中的一种或两种；2)将步骤1)制备的水滑石前体加入甲酰胺溶剂里进行剥离，加入量为0.5‑2g/L，搅拌速度为3000‑5000r/min，反应36‑72小时后离心，弃去沉淀物，得到澄清透明胶体溶液A；3)将预处理过的石英片、硅片或者ITO导电玻璃先浸入浓度为0.2‑1.0gL的聚苯胺的N‑甲基吡咯烷酮溶液中5‑15min，然后吹干，再浸入到胶体溶液A中5‑15min，然后吹干；4)重复步骤3)2‑80次，得到聚苯胺与水滑石多层复合薄膜，然后原位硫化或硒化得到聚苯胺与II‑VI族半导体复合光电转换薄膜。