[发明专利]一种聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210407690.3 | 申请日: | 2012-10-23 |
公开(公告)号: | CN102931247A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 郭影;徐冬梅;关美玉 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 张水俤 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 苯胺 ii vi 半导体 复合 光电 转换 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜的制备方法,其特征在于,其具体步骤如下:
1)制备层间阴离子为NO3-或者Cl-,层板二价、三价金属阳离子摩尔比M2+/M3+=2.0-4.0的水滑石前体;所述的二价金属阳离子M2+为Zn2+,或者Zn2+和Cd2+,或者Zn2+和Cu2+;所述的三价金属阳离子M3+为Al3+、Cr3+、Ga3+、In3+、Co3+、Fe3+、La3+和V3+中的一种或两种;
2)将步骤1)制备的水滑石前体加入甲酰胺溶剂里进行剥离,加入量为0.5-2g/L,搅拌速度为3000-5000r/min,反应36-72小时后离心,弃去沉淀物,得到澄清透明胶体溶液A;
3)将预处理过的石英片、硅片或者ITO导电玻璃先浸入浓度为0.2-1.0gL的聚苯胺的N-甲基吡咯烷酮溶液中5-15min,然后吹干,再浸入到胶体溶液A中5-15min,然后吹干;
4)重复步骤3)2-80次,得到聚苯胺与水滑石多层复合薄膜,然后原位硫化或硒化得到聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3)所述的预处理方法为:将石英片或者硅片在甲醇和36.5-38wt%盐酸混合液中浸泡10-30min,甲醇和盐酸体积比为1:1,然后在浓硫酸中浸泡10-30min,最后放入体积比为7:3的浓硫酸和双氧水混合溶液中煮沸20-40min,去离子水冲洗备用;ITO导电玻璃依次放入丙酮、5-10wt%KOH的乙醇和水混合液中各超声10-20min,乙醇和水的体积比为1:1,然后保存到甲醇中,用前去离子水冲洗。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的硫化方法为:将聚苯胺与水滑石多层复合薄膜在H2S气氛中硫化0.5-2h,或者将聚苯胺与水滑石多层复合薄膜浸入0.1-0.3M的硫代乙酰胺水溶液中0.5-2h。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的硒化方法为:氮气保护条件下,将聚苯胺与水滑石多层复合薄膜浸入0.1-0.3M的NaHSe水溶液中0.5-2h。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的