[发明专利]光刻工艺有效
| 申请号： | 201210407666.X | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103543611A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李永尧;王盈盈;刘恒信;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻工艺，如图案化半导体晶圆的光刻。该工艺包括接收其上形成有各种部件和层的入检半导体晶圆。接收单元诱发的重叠(uniiOVL)修正以及对重叠模块中的入检半导体晶圆进行形变测量。通过对形变测量结果应用预定算法，以通过形变测量结果得出形变诱发的重叠(defiOVL)修正。将defiOVL修正和uniiOVL修正前向馈送给曝光模块，然后对入检半导体晶圆进行曝光处理。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种光刻工艺，包括：提供光刻系统，所述光刻系统包括曝光模块和重叠模块；在所述光刻系统中接收入检基板；通过所述重叠模块对所述入检基板进行形变测量；根据所述形变测量得出形变诱发的重叠(defiOVL)修正；将所述defiOVL修正前馈给所述曝光模块；以及利用所述defiOVL修正，通过所述曝光模块对所述入检基板进行曝光处理。
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