[发明专利]用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构有效
| 申请号： | 201210406422.X | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779329B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 何小东 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张懿;王忠忠 |
| 地址： | 江苏省无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区的四周；其中在所述金属屏蔽层的超出所述第一阱区的部分与所述深阱区的超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mosfet 噪声 测试 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区四周；其中，在所述金属屏蔽层超出所述第一阱区的部分与所述深阱区超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。
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